Vishay Siliconix MOSFET 的額定電流

摘要

Vishay 采用三種方式確定MOSFET 的連續(xù)漏極電流（ID）額定值。這些值記錄在數(shù)據(jù)表第一頁(yè)的“絕對(duì)最大額定值”表中，作為設(shè)計(jì)人員的參考以確定該器件的應(yīng)用是否正確。該值的計(jì)算可以采用通用的方法。不過(guò)，由于每個(gè)PCB 版圖和設(shè)計(jì)都不同，每個(gè)MOSFET 的結(jié)構(gòu)也不同，因此，沒(méi)有通用的流程可用來(lái)計(jì)算每個(gè)應(yīng)用的最大允許電流。Vishay 提供的數(shù)值都是在既定條件下得出的，設(shè)計(jì)人員可根據(jù)這些值對(duì)特定應(yīng)用中的MOSFET 的性能進(jìn)行建模。請(qǐng)注意，下述方法是用來(lái)計(jì)算最大允許連續(xù)直流電流。該值不能應(yīng)用于采用脈沖電流（具有高峰值電流）的直流- 直流轉(zhuǎn)換器。對(duì)于這類應(yīng)用，必須計(jì)算出均方根電流（IRMS），然后與數(shù)據(jù)表（IRMS << ID MAX）中的ID 額定值進(jìn)行比較。IRMS 的計(jì)算公式在大多數(shù)的功率電子文章中都可找到。此外，必須將導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的高瞬時(shí)尖峰電流與SOA 曲線進(jìn)行比較，確定這種尖峰電流是否會(huì)損壞MOSFET。

下例以Si7884DP 為基礎(chǔ)，其采用PowerPAK® SO-8 封裝的40V MOSFET。 從“絕對(duì)最大額定值”表，我們獲得以下值：

確定ID 額定值的測(cè)量法

確定MOSFET 的最大ID 額定值的第三種方法是通過(guò)給器件施加大電流直至擊穿，使器件損壞來(lái)獲得。這種方法通常用于確定脈沖漏極電流值（IDM），但也可用于確定連續(xù)電流額定值。

如果采用這種方法，MOSFET 將達(dá)到飽和狀態(tài)，不會(huì)再有更多的電流通過(guò)該器件。在典型尺寸樣品器件上測(cè)量該值后，該額定值將作為數(shù)據(jù)表中的額定值（帶有安全裕度） 。該安全裕度可達(dá)到50%。

結(jié)論

有三種方法可用于確定Vishay MOSFET 產(chǎn)品的ID 額定值：公式、封裝限制和實(shí)際測(cè)量。數(shù)據(jù)表提供的數(shù)值是基于這三種方法得出的極限值。不同應(yīng)用的條件可能不盡相同，但可成為設(shè)計(jì)人員了解器件限制條件的出發(fā)點(diǎn)。遵守相關(guān)限制要求，將有助于設(shè)計(jì)師確保MOSFET 以魯棒而可靠的工作狀態(tài)在工作范圍內(nèi)良好的運(yùn)行。