斬波電路IGBT模塊損耗計算

IGBT模塊損耗：

IGBT：

通態(tài)損耗

開關(guān)損耗（開通損耗EON、關(guān)斷損耗EOFF）
FWD：

通態(tài)損耗

開關(guān)（反向恢復(fù)）損耗 ERR
斬波電路平均損耗的計算：

平均損耗計算范例

PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 導(dǎo)通比 :3:1

通態(tài)損耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4＝160(W)

開通損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)

關(guān)斷損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)

IGBT 損耗合計 : 350(W)

通態(tài)損耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4＝47.5(W)

開關(guān)（反向恢復(fù)）損耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)＝85(W)

FWD 損耗合計 : 132.5(W)

模塊損耗合計 482.5(W)

*1 Ic=100A, TJ=125℃時的集電極-發(fā)射極之間的飽和壓降

*2 IF=100A, TJ=125℃ 時的FWD正向電壓
相對于外殼溫度的結(jié)溫上升：

相對于環(huán)境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升：

接觸熱阻 Rth(c-f)，散熱片熱阻 Rth(f-a)

外殼溫度和散熱片/周圍溫度的差距

Tc－Tf Rth(c-f)×482.5

Tf－Ta Rth(f-a)×482.5

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