IGBT的續(xù)流二極管的正向恢復(fù)效應(yīng):
‘IGBT的續(xù)流二極管的反向恢復(fù)效應(yīng)被人們所熟知,而這種而這種二極管其實(shí)也存在正向恢復(fù)效應(yīng)。
正向恢復(fù)效應(yīng)發(fā)生的時(shí)刻:
正向恢復(fù)發(fā)生在二極管開通的時(shí)刻,如右圖示,在下管IGBT關(guān)斷的瞬間,IGBT的電流就要轉(zhuǎn)移到上管的續(xù)流二極管,在這一瞬間,上管的二極管發(fā)生正向恢復(fù)過程。如右圖紅圈所示的時(shí)刻。
二極管的正向恢復(fù)效應(yīng)的具體表現(xiàn):
右圖為某品牌1700V/450A的IGBT模塊具體測(cè)試波形。在關(guān)斷下管IGBT瞬間,觀測(cè)上管二極管的電流及電壓。
可以看到,在二極管開通的時(shí)刻,二極管的陽極的電位比陰極要高,峰值大約150V,持續(xù)時(shí)間為300~400ns。
正向恢復(fù)效應(yīng)與器件的關(guān)系:
在這里我們不討論產(chǎn)生二極管正向恢復(fù)現(xiàn)象的原因,不過可以這樣認(rèn)為,這是半導(dǎo)體器件的固有的屬性。絕大多數(shù)情況下,正向恢復(fù)效應(yīng)不會(huì)產(chǎn)生什么問題,所以通常很少被討論。關(guān)于這個(gè)效應(yīng),有幾個(gè)特點(diǎn)需要注意:
1. 二極管溫度越高時(shí),正向恢復(fù)效應(yīng)越強(qiáng)烈,幅值及時(shí)間都會(huì)較長;
2. 電壓越高,電流越大的器件,正向恢復(fù)效應(yīng)越強(qiáng);
3.不同品牌的器件,即使是同一電壓或電流等級(jí),正向恢復(fù)效應(yīng)程度也許會(huì)有所不同;
二極管正向恢復(fù)對(duì)SCALE2驅(qū)動(dòng)器的影響(1):
右圖為SCALE2驅(qū)動(dòng)器的有源鉗位電路的示意圖,根據(jù)上頁所述的二極管正向恢復(fù)效應(yīng),在二極管開通瞬間,二極管的陽極的電位會(huì)比陰極高很多,并持續(xù)幾百納秒。
在此過程中,會(huì)產(chǎn)生如圖所示的電流,圖中紅線所示路徑為一個(gè)阻抗很低的路徑,因此可以產(chǎn)生較大的電流。
二極管正向恢復(fù)對(duì)SCALE2驅(qū)動(dòng)器的影響(2):
在這個(gè)過程中,電流會(huì)向C1充電,因此VE的電位會(huì)被抬升,這意味著,VE與Viso之間的電壓被減小了,也就是,Viso與VE間的被穩(wěn)壓的+15V電壓被放電。在實(shí)際應(yīng)用中,這個(gè)過程是周期性發(fā)生的,與開關(guān)頻率同步,因此,從宏觀上看,驅(qū)動(dòng)器副邊的+15V會(huì)出現(xiàn)下跌的情形,當(dāng)它跌落至12V時(shí),驅(qū)動(dòng)器會(huì)觸動(dòng)欠壓保護(hù)。
解決辦法:
在有源鉗位的路徑上,放置一個(gè)雙向TVS,即可以阻斷上述的電流路徑,這個(gè)問題就被解決了。
副邊穩(wěn)壓電路的介紹:
驅(qū)動(dòng)器原方的供電為+15V,經(jīng)過DC/DC處理后得到+25V,這個(gè)電壓是開環(huán)的,這意味著,如果原方+15V波動(dòng),這個(gè)+25V也會(huì)波動(dòng)。
SCALE-2副邊的ASIC將+25V分割成+15V及-10V,其中+15V是被穩(wěn)壓的,這是一個(gè)閉環(huán)電路,如果Viso與VE之間的電壓不是+15V,則內(nèi)部電流會(huì)調(diào)整使得輸出電壓穩(wěn)定在+15V;而-10V則是開環(huán)的,是不穩(wěn)壓的。VE管腳是芯片“造”出來的,內(nèi)部是靠電流源來控制輸出的電壓源。Viso是+15V,VE是0V,COM是-10V。
這種穩(wěn)壓的方法與常見的用穩(wěn)壓二極管或者三端穩(wěn)壓電壓電路是完全不同的。