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薄膜電容器的結(jié)構(gòu)及工藝介紹

一、薄膜電容器結(jié)構(gòu):
薄膜電容器結(jié)構(gòu)
1‐nut 螺母 2‐bottom cover 外封底蓋 3‐Al case 鋁殼 4‐label 標(biāo)簽 5‐element 芯子6‐conductor plate 導(dǎo)電線 7‐core 芯棒8‐insolated plastic cover 塑料襯底蓋 9‐electrode 電極10‐plastic cover 塑料蓋
二、卷繞技術(shù)
在傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝中,金屬化塑料薄膜電容器通過(guò)將成對(duì)薄膜卷繞在塑料芯棒上然后在電容器外包上絕緣套制作而成。
卷繞技術(shù)中的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝
圖2:卷繞技術(shù)中的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝
三、名詞術(shù)語(yǔ)
1. 標(biāo)稱容量CN:通常在電容器上標(biāo)示的已指定的容量值。
2. 額定電壓UN、和紋波電壓Ur(如下圖)。
電壓/電流‐時(shí)間波形圖
圖3:電壓/電流‐時(shí)間波形圖
額定直流電壓 UNDC:設(shè)計(jì)電容器時(shí)所采用的非反復(fù)型波形的任一極性的可連續(xù)運(yùn)行的最高運(yùn)行峰值電壓。
3. 非周期性浪涌電壓Us:由切換或系統(tǒng)中任何其他的擾動(dòng)所導(dǎo)致的峰值電壓,此電壓只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時(shí)間要比基本周期短。
4. 絕緣電阻Rins :絕緣電阻為電容器充電一分鐘后所加的直流電壓和流經(jīng)電容器的漏電流值之比。
5. 絕緣電壓Ui:為電容器端子對(duì)外殼或?qū)Φ亻g的絕緣而設(shè)計(jì)的正弦波電壓的方均根值。
6. 最大峰值電流I:持續(xù)運(yùn)行期間可重復(fù)出現(xiàn)的最大峰值電流。
7. 最大電流Imax:持續(xù)運(yùn)行時(shí)的最大電流的方均根值。
8. 最大浪涌電流Is:由切換或在系統(tǒng)中任何其他的擾動(dòng)所導(dǎo)致的不可重復(fù)的峰值電流,此電流只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時(shí)間要比基本周期短。
9. 串聯(lián)電阻Rs : 在規(guī)定的運(yùn)行條件下,電容器的導(dǎo)體的有效歐姆電阻。
10. 等效串聯(lián)電阻Resr:一個(gè)有效電阻,當(dāng)它和所探討的電容器有相等電容值的理想電容器相串聯(lián)時(shí),在規(guī)定的運(yùn)行條件下,該電阻的損耗功率將等于該電容器中耗散的有功功率。
11. 電容器損耗角正切tan δ :在規(guī)定的正弦交流電壓、頻率和溫度下,電容器的等效串聯(lián)電阻與其容抗間之比。
12. 電容器損耗:電容器中所消耗的有功功率。
13. 最大功率損耗Pmax :電容器在最高外殼溫度下可運(yùn)行的最大損耗功率。
14. 外殼溫升Δθcase:外殼最熱點(diǎn)的溫度與冷卻空氣溫度之差。
15. 穩(wěn)定狀態(tài)的條件:電容器在恒定的輸出和恒定的冷卻空氣溫度下所達(dá)到的熱平衡。
16. 熱點(diǎn)溫度θhs:電容器里出現(xiàn)最高溫度的區(qū)域的溫度。
17. 熱阻Rth :熱阻用每瓦特?zé)釗p耗導(dǎo)致電容熱點(diǎn)溫度比環(huán)境溫度升高的度數(shù)來(lái)表示。
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